进口150度读写存储器参数-合肥启尔特-读写存储器

flash存储器的基本单元电路，与eeprom类似，也是由双层浮空栅mos管组成。但是一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与eeprom相同，在第二级浮空栅加以正电压，150度读写存储器厂，使电子进入一级浮空栅。读出方法与eprom相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。

1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

nand flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作flash的成本更廉价。

用户不能直接运行nand flash上的代码，因此好多使用nand flash的开发板除了使用nand flash以外，还做上了一块小的nor flash来运行启动代码。