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一般地eeprom存储器(如93c46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一---的时候,该单元就无法再使用了。但在实际应用中,可能有些数据要反复改写。这时,可通过变址寻址的方式来突破eeprom存储器的擦写寿命---。
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nor是现在市场上主要的非易失闪存技术。nor一般只用来存储少量的代码;nor主要应用在代码存储介质中。nor的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率---,它是属于芯片内执行(xip, execute in place),这样应用程序可以直接在(nor型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统ram中,缺点是受到读写和擦除速度慢的性能制约。在1~4mb的小容量时具有---的成本效益,进口200度eeprom单价,但是很低的写入和擦除速度---影响了它的性能。nor flash带有sram接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。nor flash占据了容量为1~16mb闪存市场的大部分。
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flash 储存器的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般mos闸极(gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),进口150度eeprom单价,而flash 储存器的特色是在控制闸(control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
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