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1.位翻转错误：eeprom存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转，导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。
2、写入错误：eeprom存储器在写入数据时，可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。
3、擦除错误：eeprom存储器在擦除数据时，可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。
200度高温存储器
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动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64k地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
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flash存储器的工作原理基于电荷捕获技术，通过向浮栅晶体管施加电压来改变其电荷状态，从而实现数据的存储和擦除。flash存储器通常用于存储文件、图片、字库等大容量的数据记录，以及经常读但很少写的数据。在智能手机、平板电脑、数码相机等消费电子产品中，flash存储器已成为主要的存储介质。
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