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1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
nand flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作flash的成本更廉价。
用户不能直接运行nand flash上的代码，因此好多使用nand flash的开发板除了使用nand flash以外，还做上了一块小的nor flash来运行启动代码。
200度测井存储器
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flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。flash 储存器采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，高温175度eeprom单价，还可以预先设定“区块”（block）。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的eeprom芯片每次只能擦除一个字节，而flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。flash 储存器的工作速度大幅优于传统eeprom芯片。
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ram 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，高温150度eeprom单价，即掉电数据丢失。rom 通常指固化存储器（一次写入，反复读取），它的特点与ram 相反。rom又分---固化、光擦除和电擦除重写三种类型。
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