合肥启尔特石油科技有限公司提供200度进口读写存储器参数-合肥启尔特-读写存储器。
200度存储器芯片合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25lc256系列，175度flash存储器可以做到4mb容量，200度和210度的都是ti公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
光擦可编程只读存储器（eprom）
光擦可编程只读存储器（eprom）的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。eprom出厂时，其存储内容为全「1」，用户可根据需要将部分内容改写为「0」，需要修改存储内容时，200度进口读写存储器参数，可将原存储内容擦除（恢复为全「1」），以便写入新的内容。
eprom一般是将芯片用紫外线照射15～20分钟左右，以擦除其中的内容，然后用的eprom写入器将信息重新写入，一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前，eprom常用于软件开发过程中。
测井200度存储器
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flash存储器就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
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flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。flash 储存器采用内部闭合电路，高温150度读写存储器参数，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”（block）。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的eeprom芯片每次只能擦除一个字节，而flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。flash 储存器的工作速度大幅优于传统eeprom芯片。
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