210度读写存储器参数-启尔特-读写存储器

合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，175度读写存储器参数，150度常用的是25lc256系列，175度flash存储器可以做到4mb容量，200度和210度的都是ti公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

存取时间（访问时间）ta：从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。

例如：

rom存取时间通常为几百ns；

ram存取时间通常为几十ns到一百多ns；

双极性ram存取时间通常为10～20ns。

动态随机存储器（dram）

动态ram的存储矩阵由动态mos存储单元组成。动态mos存储单元利用mos管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。