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flash 储存器的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般mos闸极(gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而flash 储存器的特色是在控制闸(control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
150度进口存储器
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存储器本身不具有地址信息,它的地址是由芯片厂商或用户分配,flash存储器,给存储器分配地址的过程称为存储器映射,如果再分配一个地址就叫重映射存储器映射arm 将这 4gb 的存储器空间,平均分成了 8 块区域, 每块区域的大小是 512mb(1)block0 内部区域功能划分block0 主要用于设计片内的 flash,0x0000 0000-0x0007ffff:取决于 boot 引脚,为 flash、系统存储器、 sram 的别名。0x08000000-0x0807ffff:片内 flash,我们编写.
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eeprom是指带电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。eprom芯片可重复擦除和写入,解决了prom芯片只能写入一次的弊端。
eprom芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,210度flash存储器参数,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到eprom擦除器。eprom内资料的写入要用专门的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压。
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